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石墨板高品质等静压石墨东洋石墨碍颁-67097石墨板高品质等静压石墨东洋石墨碍颁-67097

浙江鸿奈德阐述石墨加工后的主要制品有哪些？

阐述石墨加工后的主要制品有哪些？石墨行业的上游公司主要有：1、无烟煤的煅烧公司；2、煤焦油加工生产公司；3、石油焦生产及煅烧公司。炭和石墨制品：

石墨电极类

主要以石油焦、针状焦为原料，煤沥青作结合剂，经煅烧、配料、混捏、压型、焙烧、石墨化、机加工而制成，是在电弧炉中以电弧形式释放电能对炉料进行加热熔化的导体，根据其质

石墨产物

量指标高低，可分为普通功率、高功率和超高功率。石墨电极包括：

（1）普通功率石墨电极。允许使用电流密度低于 17A/厘米2的石墨电极，主要用于炼钢、炼硅、炼黄磷等的普通功率电炉。

（2）抗氧化涂层石墨电极。表面涂覆一层抗氧化保护层的石墨电极，形成既能导电又耐高温氧化的保护层，降低炼钢时的电极消耗。

（3）高功率石墨电极。允许使用电流密度为18～25础/厘米2的石墨电极，主要用于炼钢的高功率电弧炉。

（4）超高功率石墨电极。允许使用电流密度大于 25A/厘米 2的石墨电极。主要用于超高功率炼钢电弧炉。

石墨阳极类/鸿奈德碳素

主要以石油焦为原料，煤沥青作粘结剂，经煅烧、配料、混捏、压型、焙烧、浸渍、石墨化、机加工而制成。一般用于电化学工业中电解设备的导电阳极。包括：

（1）各种化工用阳极板。

（2）各种阳极棒。

特种石墨类/鸿奈德碳素

主要以优质石油焦为原料，煤沥青或合成树脂为粘结剂，经原料制备、配料、混捏、压片、粉碎、再混捏、成型、多次焙烧、多次侵渍、纯化及石墨化、机加工而制成。一般用于航天、电子、核工业部门。

它包括光谱纯石墨，高纯、高强、高密以及热解石墨等。

石墨热交换器/鸿奈德

将人造石墨加工成所需要的形状，再用树脂浸渍和固化而制成的用于热交换的不透性石墨制品，它是以人造不透性石墨为基体加工而成的换热设备，主要用于化学工业。包括：

（1）块孔式热交换器；

（2）径向式热交换器；

（3）降膜式热交换器；

（4）列管式热交换器。

炭电极类/鸿奈德石墨

以炭质材料如无烟煤和冶金焦（或石油焦）为原料、煤沥青为粘结剂，不经过石墨化，经压制成型而烧成的导电电极。它不适合熔炼高级合金钢的电炉。包括：

（濒）多灰电极（用无烟煤、冶金焦、沥青焦生产的电极）；

（2）再生电极（用人造石墨、天然石墨生产的电极）；

（3）炭电阻棒（即炭素格子砖）；

（4）炭阳极（用石油焦生产的预焙阳极）；

（5）焙烧电极毛坯。

炭块类/鸿奈德石墨

以无烟煤、冶金焦为主要原料，煤沥青为粘结剂，经原料制备、配料、混粘、成型、焙烧、机加工而制成。其中高炉炭块作为耐高温抗腐蚀材料用于砌筑高炉内衬；底部炭块、侧部炭块、电炉块则用于铝电解槽和铁合金电炉等。包括：

（1）高炉炭块；

（2）铝槽炭块（底部炭块及侧部炭块）；

（3）电炉炭块。

炭糊类/鸿奈德石墨

以石油焦、无烟煤、冶金焦为主要原料，煤沥青为粘结剂而制成。有的用于各种连续自焙电炉作为导电电极使用的电极糊；有的用于连续自焙式铝槽作为导电阳极使用的阳极糊；有的用于高炉砌筑的填料和耐火泥浆的粗缝糊和细缝糊。高炉用自焙炭块虽用途不同，但和糊类制品的生产工艺相仿，暂归在糊类制品内。包括：

（1）阳极糊；

（2）电极糊（包括标准、非标准电极糊）；

（3）底糊（包括多灰、少灰底糊）；

（4）密闭糊（包括多灰、少灰密闭糊）；

（5）其它糊（包括粗缝糊、细缝糊、自焙炭砖等）。

非标准炭、石墨制品类

这是指用炭、石墨制品经过进一步加工而改制成的各种异型炭、石墨制品。包括铲型阳极、制氟阳极以及各种规格的坩埚、板、棒、块等异型品。

不透性石墨类

这是指经树脂及各种有机物浸渍、加工而制成的各种石墨异型品，包括热交换器的基体块。

碳碳复合材料(C/C)是以碳为基体，采用聚丙烯睛基碳纤维经过特殊 工艺复合，固化，纯化制成，具有高强度，高密度，膨胀小，耐高温， 抗腐蚀，抗热震性稳定的特性，适合真空高温条件下做发热体，紧固件. 传动件，支撑盘等，在真空冶金，化工，半导体，电子新能源等领域 应用十分广泛。

鸿奈德的石墨纸.是将天然鳞片石墨经过处理并晋国高温轧制而成.具有耐高温， 耐腐蚀，柔韧性能优异等特点。

鸿奈德石墨具有优异的热传导性能，加上热传导非常均匀，又具有电磁 感应性能，公司现在开发了系列的生活用碳制品。

石墨的热传导性是金属的4倍以上。

碳绳，是以高强碳纤维编织而成，具有强度高，重量轻，耐热性能 好，热膨胀系数小，是高温炉隔热材料的辅料。

Sic涂层，产物厚度均匀性好、致密性较好，化学配比性好、性能比较稳 定，导热系数高，热膨胀系数小，具有阻氧、阻碳、耐压、耐磨、自润 滑、无挥发、抗热震、抗烧蚀等优良性能。该涂层能够提高产物质量， 极大的延长部件使用寿命。用于氢化炉的部件，CZ装置的导流筒和用于 PECVD, MOCVD装置的晶片载体。